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IPW65R080CFDA用的TO-247封装，是英飞凌一款汽车级MOS管。IPW65R080CFDA的漏源导通电阻RDS(on)为0.072Ω，零栅极电压漏极电流（IDSS）为2uA，栅源漏电流（IGSS）为100nA，其工作时耐温度范围为–40~150摄氏度。IPW65R080CFDA的输入电容（Ciss）为4440pF，输出电容（Coss）为210pF。IPW65R080CFDA的电性参数是：连续漏极电流（ID）为137A，漏源击穿电压为650V，二极管正向电压（VSD）为0.9V，反向恢复时间（trr）为180ns，其中有3条引线。
IPW65R080CFDA参数描述
型号：IPW65R080CFDA
连续漏极电流（ID）：137A
功耗（Ptot）：391W
贮存温度和工作结温（Tstg，Tj）：-40 ~ 150℃
漏源击穿电压V(BR)DSS：650V
栅极阈值电压V(GS)th：4V
零栅极电压漏极电流（IDSS）：2uA
栅源漏电流（IGSS）：100nA
漏源导通电阻RDS(on)：0.072Ω
输入电容（Ciss）：4440pF
输出电容（Coss）：210pF
二极管正向电压（VSD）：0.9V
反向恢复时间（trr）：180ns
IPW65R080CFDA插件封装系列。它的本体长度是21.1mm，加引脚长度为41.42mm，宽度为16.13mm，高度为5.21mm，脚间距为5.44mm。
强元芯电子原厂渠道代理各种车规级MOS、IGBT、FRD系列：
Infineon/英飞凌：IPW65R150CFDA、IPW65R110CFDA、IPW65R080CFDA、AIGW40N65H5、AIGW50N65H5等。
ON/安森美：FCH041N65F、NVHL040N65S3F、FGH40N60SMD、ISL9R3060G2等。
ST/意法：STW43NM60ND、STW78N65M5、STTH6010-Y、STTH30ST06-Y、STTH60RQ06-Y、STTH1506DPI、STTH15RQ06-Y等。
IXYS/艾赛斯：DS145-16A等。
原文地址：http://www.cnblogs.com/qyx3868/p/16821667.html
