英飞凌AIGW40N65H5汽车级IGBT，原厂渠道ASEMI代理

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英飞凌AIGW40N65H5汽车级IGBT参数：

型号：AIGW40N65H5

脉冲集电极电流（ICpuls）：120A

功耗（Ptot）：250W

工作结温度（Tvj）：-40 ~ 175℃

储存温度（Tstg）：-55 ~ 150℃

集电极–发射极电压（VCE）：650V

G−E阈值电压VGE(th)：4.0V

集电极截止电流（ICES）：40uA

G−E漏电流（IGES）：100nA

输入电容（Cies）：2300pF

输出电容（Coes）：43pF

打开延迟时间td(on)：20ns

关闭延迟时间td(off)：149ns

AIGW40N65H5特点和优点：

硬开关和谐振的最佳效率

拓扑结构

即插即用取代上一代IGBT

650V击穿电压

低门电荷QG

最高接合温度175°C

动态应力测试

符合AEC-Q101

绿色包装（符合RoHS标准）

AIGW40N65H5应用：

非车载充电器

车载充电器

DC/DC转换器

功率因数校正

强元芯电子原厂渠道代理各种车规级MOS、IGBT、FRD系列：

Infineon/英飞凌：IPW65R150CFDA、IPW65R110CFDA、IPW65R080CFDA、AIGW40N65H5、AIGW50N65H5等。

ON/安森美：FCH041N65F、NVHL040N65S3F、FGH40N60SMD、ISL9R3060G2等。

ST/意法：STW43NM60ND、STW78N65M5、STTH6010-Y、STTH30ST06-Y、STTH60RQ06-Y、STTH1506DPI、STTH15RQ06-Y等。

IXYS/艾赛斯：DS145-16A等。

原文地址：http://www.cnblogs.com/qyx3868/p/16799758.html